במאי השנה, אוניברסיטת המלך עבדאללה למדע וטכנולוגיה (KAUST) הכריזה על פיתוח שבב מיקרו LED חדש מבוסס InGaN עם אור אדום. היעילות הקוונטית החיצונית (EQE) שופרה. תצוגות LED ממלאות תפקיד חשוב בקידום. על בסיס זה, KAUST עשתה לאחרונה פריצות דרך חדשות.
על פי דיווחים בתקשורת זרה, KAUST פיתחה שבבי Micro LED (μLED) שיכולים לפלוט ביעילות אור בכל ספקטרום האור הנראה, ולממש את הצבע המלא של נוריות המיקרו. נכון לעכשיו, מאמרים קשורים של צוות KAUST פורסמו בכתב העת"Photonics Research".
על פי דיווחים, סגסוגת חנקן היא סוג של חומר מוליכים למחצה, באמצעות ערבוב כימי נכון, יכול לפלוט RGB שלושה צבעי אור, לעזור ל-Micro LED להשיג תצוגת RGB בצבע מלא. עם זאת, כאשר גודל שבב הניטריד מצטמצם לרמת המיקרון, גם יעילות האור תלך ותחלש.
צוות המחקר של KAUST נתן הסבר מפורט: המכשול העיקרי להקטנת גודל השבב הוא שהדופן של מבנה ה-LED תינזק במהלך תהליך הייצור, והתרחשות פגמים תגרום לדליפה, שתשפיע על פליטת האור. של השבב. וככל שהגודל יצטמצם, תופעה זו תהפוך לברורה יותר, כך שגודל שבב ה-LED מוגבל ל-400μm×400μm.
עם זאת, צוות KAUST השיג פריצת דרך בבעיה זו ופיתח שבב מיקרו LED אדום InGaN בעל בהירות גבוהה בגודל של 17μm×17μm.
דווח כי צוות המחקר השתמש בטכנולוגיית שיקוע אטומי מכויל לחלוטין לפיתוח מערך מיקרו LED של אור אדום בגודל 10×10, ובאמצעות טיפול כימי כדי לחסל את הנזק לדופן הצד של מבנה שבב LED. באמצעות תצפיות ברמה האטומית (נדרשים כלים מקצועיים והכנת דגימות), צוות המחקר אישר כי לדפנות יש גבישיות גבוהה לאחר טיפול כימי.
על פי התצפיות של צוות המחקר, הספק המוצא לכל שטח של 2 מילימטר רבוע של פני השבב הוא עד 1.76 mW, בעוד שהספק המוצא לשטח של 2 מילימטר רבוע של המוצר הקודם הוא 1 mW בלבד. לעומת זאת, עוצמת המוצא של המוצר החדש שופרה משמעותית, כלומר חיצונית. יעילות האור הקוונטית השתפרה משמעותית. לאחר מכן, צוות המחקר שילב את שבב ה-Micro LED עם האור האדום עם שבב ה-InGaN Micro LED באור כחול וירוק כדי לייצר מכשיר Micro LED במגוון צבעים רחב.
KAUST מאמינה שעם היתרונות של בהירות גבוהה, מהירות תגובה מהירה, סולם צבעים רחב וצריכת אנרגיה נמוכה, InGaN Micro LED יהווה פתרון אידיאלי עבור הדור הבא של מסכי Micro LED המוצמדים לראש, טלפונים ניידים, טלוויזיות וציוד אחר. בשלב הבא, צוות KAUST ישפר עוד יותר את היעילות של ה-Micro LED ויפחית את הגודל לפחות מ-10μm.
ראוי לציין שגם Jingneng Optoelectronics עשתה פריצות דרך בדרך להשגת נוריות מיקרו-לדים מבוססות InGaN בצבע מלא.
על פי ההבנה של LEDinside', Jingneng Optoelectronics פיתחה שבב Micro LED אדום מבוסס סיליקון ויצרה בהצלחה מערך Micro LED מבוסס GaN על מצע סיליקון עם שלושה צבעי יסוד של אדום, ירוק וכחול. עם זאת, Jingneng גם הודה ששיטות בדיקת היעילות הקוונטית החיצוניות הנוכחיות של שבבי ה-Micro LED האדומים שלה צריכות לעבור אופטימיזציה נוספת.
במונחים של הגודל הקטן יותר של טכנולוגיית שבב Micro LED, במרץ השנה, אוניברסיטת קליפורניה, סנטה ברברה (UCSB) הכריזה גם על הדגמה ראשונה של שבב Micro LED מבוסס InGaN אור אדום בגודל של פחות מ-10 מיקרומטר , אבל הוא מתמודד גם עם פליטת אור קוונטי חיצוני. הבעיה של יעילות נמוכה. מדווח כי ה-EQE שנמדד על מדידת ה-Wafer של השבב הזה הוא רק 0.2%.
UCSB ציין כי יעילות האור הקוונטית החיצונית של Micro LED חייבת להגיע לפחות 2-5% כדי לעמוד בדרישות של תצוגות טרמינלים. התוכנית הבאה של UCSB' היא לשפר את איכות החומר ולייעל את שלבי הייצור כדי להשיג עלייה ביעילות הקוונטית החיצונית.
ניתן לראות שלצוותי המחקר יש עוד דרך ארוכה לעבור בקידום צבע מלא ומסחור של נורות LED. אבל החדשות הטובות הן שבהשוואה לשנים קודמות, להתקדמות של כל הצדדים בטכנולוגיית ה-Micro LED השנה יש תפקיד מרכזי בקידום תעשיית ה-Micro LED, ומוצרי טרמינלים הופיעו בהדרגה, מה שאומר שהיצרנים והצרכנים עוזבים מיקרו לד וקצת יותר קרוב.
